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03.06.14 - BMU-Förderprogramm: Hochdurchsatz Silicium-basierte Schichten und Silicium-Epitaxie für die Photovoltaik (HighVolEpi)

Projektvolumen: 2.535.790 Mio €
Laufzeit: 01.07.2012 – 30.06.2015

Projekt Partner:
:: Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE)

Im Projekt HighVol-Epi sollen Silicium(Si)- und Siliciumcarbid(SiC)-Schichten für kristalline Si Dünnschichtsolarzellen auf einer am ISE konstruierten und aufgebauten Hochdurchsatz-CVD-Anlage (ProConCVD) entwickelt werden. Zunächst werden die verschiedenen Prozesse auf Refe¬renzsubstraten entwickelt und im weiteren Projektverlauf auf Originalsubstrate übertragen. Dabei werden neben der ProConCVD auch die Modellanlagen RTCVD und ConCVD eingesetzt, um Schichtoptimierung und Fehleranalyse kostensparender zu betreiben, als es mit der ProConCVD möglich ist. Parallel zu der Schichtentwicklung sollen in geringerem Umfang die Abscheideanlagen aufgabenspezifisch optimiert werden.