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01.11.16 - 31.10.2019 - BMBF-Förderprogramm Mikroelektronikforschung (KomroL): Projekt "Galliumnitridbasierte Leistungselektronikmodule für effiziente Elektromobilität (GaNMobil)"

Halbleiterbauelemente vor der Weiterverarbeitung im Modul © Semikron

Projektvolumen: 2,6 Mio. € (davon 61% Förderanteil durch BMBF)

Projektlaufzeit: 01.11.2016 - 31.10.2019

Projektpartner:
:: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG (Koordinator)
:: Siemens AG
:: TU Chemnitz, Professur für Leistungselektronik u. elektromagnetische Verträglichkeit
:: TU Desden, Bereich Leistungselektronik

Projektinhalt:

Im Vorhaben sollen wesentliche technologische Aspekte der Halbleiter-, Modul-, und Umrichter-entwicklung auf Galliumnitrid-Basis verbessert werden. Diese Entwicklungen sollen das Wide-Band-Gap-Material (Halbleiter mit großer Bandlücke) für die Leistungselektronik in der Elektromobilität verfügbar machen und höhere Arbeitstemperaturen ermöglichen. Schwerpunkt des Vorhabens ist es, einen niederinduktiven und hochintegrierten Umrichter zu entwickeln, der bei großer Zuverlässigkeit einen höheren Wirkungsgrad sowie eine höhere Leistungsdichte aufweist. Die Ergebnisse werden in einem Demonstrator veranschaulicht.

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