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01.10.16 - 30.09.2019 - BMBF-Förderprogramm Mikroelektronikforschung (KomroL): Projekt "Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid (GaNIAL)"

Monolithisch integrierte GaN-Leistungsschaltkreise für kompaktere und effizientere Leistungselektronik © Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik

Projektvolumen: 5,3 Mio. € (davon 57% Förderanteil durch BMBF)

Projektlaufzeit: 01.10.2016 - 30.09.2019

Projektpartner:
:: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Koordinator)
:: Robert Bosch GmbH, Gerlingen-Schillerhöhe
:: BMW AG, München
:: Finepower GmbH, Ismaning
:: Universität Stuttgart
:: TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG, Freiburg

Projektinhalt:

Mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) kann Leistungselektronik mit einem sehr hohen  Wirkungsgrad für die Elektromobilität und den Maschinen- bzw. Anlagenbau realisiert werden. Diese neuen Systeme lassen im Vergleich zu heutigen Systemen höhere Leistungen bei geringerer Größe, schnelleres Schalten und höhere Betriebstemperaturen zu. Ziel des Projekts GaNIAL ist es, GaN-Leistungselemente, Ansteuerschaltungen und thermische Zustandsüberwachung extrem kompakt auf einem einzigen Halbleiterchip zu integrieren. Eine ausgeklügelte Aufbau- und Verbindungstechnik soll dabei für geringe Verluste, optimierte elektromagnetische Verträglichkeit und eine effiziente Kühlung des Leistungsmoduls sorgen.  

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