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19.03.18 - ETG Workshop Schaltungstechnik für GaN-Bauelemente der Leistungselektronik

GaN-Bauelemente haben in den letzten Jahren eine rasante Entwicklung durchlaufen und etablieren sich mehr und mehr in der angewandten Leistungselektronik. Inzwischen sind Leistungshalbleiter-Bauelemente von verschiedenen Herstellern in unterschiedlichen Ausführungen und Technologien sowie Spannungs- und Stromklassen kommerziell erhältlich und auf dem Weg in die Applikation.

Immer mehr Anwender investieren in Forschung und Entwicklung, um das Potenzial der schnellen GaN-Halbleiterschalter für ihre Systeme zu nutzen. Dabei stellen sich viele Fragen zur geeigneten Transistortechnologie, zu optimalen Schaltungstopologien, zu den Gate-Treibereinheiten und zur praktischen Umsetzung beispielsweise im Hinblick auf Aufbau- und Integrationstechniken oder der EMV. Im Fokus der Anwender stehen neben den klassischen, hartschaltenden Anwendungen, bei denen die niedrigen Durchlasswiderstände der GaN-Bauelemente genutzt werden, besonders die hohen mit GaN erreichbaren Schaltfrequenzen sowie resonante bzw. quasi-resonante Schaltungen.

Ziel des Workshops ist ein Austausch der bisher mit GaN-Leistungsbauelementen gesammelten vielfältigen Erfahrungen. Einerseits sollen dabei die Auswirkungen der GaN-Spezifika auf die Applikation diskutiert und noch bestehende technische Herausforderungen beleuchtet, andererseits die neuen, weiter gesteckten Grenzen ausgelotet werden.

Der Workshop wendet sich insofern an Anwender, Schaltungs- und Bauelemententwickler aus Industrie, Instituten und Hochschulen.

Programm
Website

Veranstalter:
ETG Energietechnische Gesellschaft im VDE

Uhrzeit:
12:30

Ort:
Stuttgart