Nordbayern

17.12.18 - Cluster-Vortragsreihe des Fraunhofer IISB: SiC- und GaN-Leistungshalbleiter

Gemeinsame Vortragsreihe des Bayerischen Clusters Leistungselektronik und des Fraunhofer IISB sowie des Leistungszentrum Elektroniksysteme

Von der Schaltercharakterisierung zum Leistungshalbleiter-Simulationsmodell
Achim Endruschat, Holger Gerstner, Fraunhofer IISB

Realitätsnahe Simulationsmodelle von Leistungshalbleitern bilden die Grundlage aussagekräftiger Schaltungssimulationen und Optimierungen leistungselektronischer Systeme. In den beiden Vorträgen wird anhand eines GaN-Leistungshalbleiters die Methodik von der Charakterisierung hin zur Implementierung eines validen Simulationsmodells in SPICE vorgestellt.

Investigation of Threshold Voltage Stability of SiC-MOSFETs and Compact Models for SiC-MOSFETs
Dr.-Ing. Dethard Peters, Dr.-Ing. Andreas Hürner Infineon Technologies AG

Infineon ist einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleiterlösungen, unter anderem Schottkydioden und MOSFETs auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC). Vorgestellt werden die wesentlichen Eigenschaften des Infineon-SiC-Trench-MOSFETs. Einen Schwerpunkt stellt dabei der Einfluss der Gate-Ansteuerung auf die Einsatzspannung dar. Darauf aufbauend wird im zweiten Teil des Vortrages die Vorgehensweise von Infineon bei der Erstellung von Kompaktmodellen für SiC-MOSFET erläutert.

Teilnahme kostenlos, keine Anmeldung erforderlich!

Ab 18:45 Uhr Diskussion bei Imbiss und Getränken.

Veranstalter:
Fraunhofer IISB und Cluster Leistungselektronik

Uhrzeit:
17:15

Ort:
Hans-Georg-Waeber-Saal, Schottkystraße 10, Erlangen