Nordbayern

14.12.15 - Cluster-Vortragsreihe des Fraunhofer IISB: Rückwärtsleitfähige IGBT

Gemeinsame Vortragsreihe des Bayerischen Clusters Leistungselektronik und des „Fraunhofer-Innovationsclusters Elektronik für nachhaltige Energienutzung“

Neuartige hochsperrende rückwärtsleitfähige IGBT
Dr. Daniel Domes, IFX Warstein

Eine Maßnahme zur Leistungsdichteerhöhung in Halbleitermodulen stellt die monolithische Integration von IGBT und Diode dar. Die daraus resultierenden thermischen Eigenschaften erlauben deutlich höhere Package- Stromdichten als sie bei herkömmlichen 2-Chip-Lösungen möglich sind. Die Struktur des rückwärtsleitenden IGBT erlaubt es, auf die statischen und dynamischen Diodeneigenschaften über die Gateansteuerung Einfluss zu nehmen. Der Vortrag stellt das Bauelementkonzept vor und geht auf die damit verbundenen Ansteueraspekte ein.

Treiber für hochsperrende rückwärtsleitfähige IGBT
Konrad Domes, Fraunhofer-IISB, Chemnitz

Der Vortrag befasst sich mit Treibern für Hochleistungs- IGBTs im Allgemeinen und den Besonderheiten für die Ansteuerung von rückwärtsleitfähigen IGBTs. Dabei wird speziell auf die messtechnische Erfassung der Stromrichtung im IGBT und die erforderliche Gate-Ansteuerung eingegangen. Abschließend werden der realisierte Eva-Gate-Treiber und seine Funktionen vorgestellt.

Teilnahme kostenlos, keine Anmeldung erforderlich!

Ab 18:45 Uhr Diskussion bei Imbiss und Getränken.

Veranstalter:
Fraunhofer IISB und Cluster Leistungselektronik

Uhrzeit:
17:15 Uhr

Ort:
Hans-Georg-Waeber-Saal, Schottkystraße 10, Erlangen