Nordbayern

17.07.17 - Cluster-Vortragsreihe des Fraunhofer IISB: Bauelemente für SiC und GaN Leistungselektronik

Gemeinsame Vortragsreihe des Bayerischen Clusters Leistungselektronik und des „Fraunhofer-Innovationsclusters Elektronik für nachhaltige Energienutzung“

Ultraschnelle Stromsensoren basierend auf dem magnetoresistiven Effekt
Glenn von Manteuffel, Sensitec GmbH

Um Wide-Band-Gap Halbleiter praktisch nutzen zu können, ist es erforderlich Ströme verlustarm, präzise und dynamisch zu messen. Stromsensoren beruhend auf dem magnetoresistiven (MR) Effekt bieten eine einzigartige Kombination von Bandbreite, Auflösung, geringer Baugröße  und Robustheit. Am Beispiel  eines kompakten Stromsensors mit einer Bandbreite von 500 kHz werden Funktion und Vielseitigkeit dieses Messverfahrens für unterschiedliche Anwendungen dargestellt.

Keramische DC-Link Kondensatoren
Axel Schmidt, KEMET Electronics GmbH

Die neuen Leistungshalbleiter auf Basis von SiC und GaN ermöglichen Schaltfrequenzen von weit über 100kHz. Aufgrund der höheren Schaltfrequenzen verringert sich die benötigte Kapazität derart, dass die Keramikkondensatoren als Alternative attraktiv sind. Eine aus Calciumzirkonaten bestehende Class I Keramik für 150°C erfüllt die Forderungen nach kleiner Bauform,  mechanische Festigkeit und hoher Zuverlässigkeit bei gleichzeitig hoher Stromtragfähigkeit. Im Gegensatz zu den am Markt befindlichen Lösungen basierend auf anti-ferroelektrischen Materialien weist der KC-Link enge Toleranzen von 30ppm/°C auf und zeigt keine signifikante Kapazitätsänderung bei angelegter Gleich- und überlagerter Wechselspannung. 

Teilnahme kostenlos, keine Anmeldung erforderlich!


Ab 18:45 Uhr Diskussion bei Imbiss und Getränken.

Veranstalter:
Fraunhofer IISB und Cluster Leistungselektronik

Uhrzeit:
17:15

Ort:
Hans-Georg-Waeber-Saal, Schottkystraße 10, Erlangen