Nordbayern

20.03.17 - Cluster-Vortragsreihe des Fraunhofer IISB: GaN in der Leistungselektronik

Gemeinsame Vortragsreihe des Bayerischen Clusters Leistungselektronik und des „Fraunhofer-Innovationsclusters Elektronik für nachhaltige Energienutzung“

GaN Power Devices
T. Morita, Panasonic Industrial Devices Europe

Around 2007 Panasonic presented the principle of the so called GaN gate injection transistor (GIT). A GIT is a normally of-state power electronic switching device based on gallium nitride structures. Since that many improvements in the GaN technology was done from Panasonic as well from other semiconductor manufacturer. The presentation will give an overview on state of the art in GaN power device technology.

GaN in Power Electronic Systems - Advantages, Challenges, Examples
S. Zeltner, Fraunhofer IISB, Erlangen

Mit der Verfügbarkeit von GaN-Leistungsschaltern können nun auch leistungselektronische Systeme realisiert werden. Der Vortrag beleuchtet die Vorteile von GaN Leistungstransistoren aus Systemsicht sowie im Vergleich zu Si- und SiC-Lösungen und geht auf die dabei zu beachtenden Herausforderungen ein. Als Beispiel für ein GaN basiertes leistungselektronisches System wird ein neuartiges isolierendes bidirektionales Ladegerät für Elektrofahrzeuge vorgestellt. 

Teilnahme kostenlos, keine Anmeldung erforderlich!

Ab 18:45 Uhr Diskussion bei Imbiss und Getränken.

Veranstalter:
Fraunhofer IISB und Cluster Leistungselektronik

Uhrzeit:
17:15

Ort:
Hans-Georg-Waeber-Saal, Schottkystraße 10, Erlangen