Norman Böttcher bekommt IISB-F&E-Preis

Norman Böttcher, Mitarbeiter der Abteilung Halbleiterbauelemente am FhG IISB wurde ein Einzelpreis für die Entwicklung eines neuartigen monolithisch integrierten SiC-Lasttrennschalters verliehen. Die Arbeiten wurden im Rahmen des von ECPE/ClusterLE im Rahmen der Clusterinternationalisierung gestarteten und vom BMBF geförderten Projektes „SiC-DCBreaker“ durchgeführt.

© Amelie Schardt / Fraunhofer IISB

Prof. Jörg Schulze und Norman Böttcher, zweiter Preisträger eines Einzelpreises, der sich zum Zeitpunkt der Preisvergabe für einen Forschungsaufenthalt in Japan befand.

Norman Böttcher wurde ein Einzelpreis für die Entwicklung eines neuartigen monolithisch integrierten 4H-SiC-Lasttrennschalters für 800-V-Gleichstrom-Anwendungen verliehen. Die 800-V-Fähigkeit macht den 4H-SiC-Lasttrennschalter zu einem passenden Bauteil in Anwendungsbereichen wie der E-Mobilität oder in Smart-Grid-Umgebungen. Die von Böttcher entwickelten innovativen Bauelemente ermöglichen einen selbsttätigen Betrieb und vereinen damit die Vorteile von mechanischen und Solid-State-Lasttrennschaltern in einem einzigen Halbleiterchip. An der Tokyo Metropolitan University konnte Norman Böttcher in internationaler Zusammenarbeit mit dem renommierten Leistungselektronik-Experten Prof. Keiji Wada die elektrische Leistungsfähigkeit demonstrieren.

Mehr dazu lesen Sie in der neuen Ausgabe des Fraunhofer ISSB aktuell auf Seite 3:

IISB aktuell 1/2022                Project SiC-DCBreaker

 

Publikation "A Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker" von Norman Böttcher und Tobias Erlbacher auf IEEE

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