Die Forschenden haben eine Charakterisierungsmethode für Halbleitermaterialien mittels Röntgentopographie entwickelt. Mit der industrietauglichen Methode werden Defekte auf Wafern vollflächig, schnell und zerstörungsfrei charakterisiert – hinsichtlich des Kostenpunkts und der Durchlaufzahl eine enorme Verbesserung zu aktuell in der Industrie angewandten Charakterisierungsprozessen, bei denen Wafer häufig geätzt und entsorgt werden. Das Verfahren ist optimal geeignet für Wafer aus Siliziumkarbid (SiC). SiC-basierte Leistungselektronik wird in verschiedensten Anwendungsgebieten eingesetzt, z. B. im Mobilitätssektor und für nachhaltige Energieversorgung, und gewinnt durch die gesellschaftsweite Elektrifizierung weiter an Relevanz.

Pressemeldung

Fraunhofer IISB