Schulung
Datum: 26/09/2022 - 27/09/2022
Ort: Rüsselsheim am Main, Deutschland
Fachliche Leitung:
Prof. Dr.-Ing. Eckart Hoene, Fraunhofer IZM
Organisation:
Krista Schmidt, +49 911 81 02 88 - 16, Email
Anmeldeschluss: 22. Sept. 2022
Interner Bereich
für Cluster-Akteure
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Inhalt
Wide-Bandgap (WBG) Halbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN haben großes Potenzial, die Leistungsdichte und Effizienz leistungselektronischer Systeme zu steigern. Wesentliche Herausforderungen liegen dabei in der Beherrschung des schnellen Schaltens und der hohen Leistungsdichte auf Systemebene. Da viele Leistungselektronikentwickler noch nicht über das erforderliche Know-how verfügen, wurde im Rahmen der Cluster Internationalisierung ein spezielles Anwendertraining konzipiert.
Die 2-tägige Schulung behandelt alle Aspekte der WBG-Systemintegration - von der Auswahl der SiC bzw. GaN-Leistungshalbleiterbauelemente über das Design von WBG-Leistungselektronik bis zu den Herausforderungen durch das schnelle Schalten (parasitäre Effekte, EMV, Filter) und die hohe Leistungsdichte bei hochintegrierten Systemen.
Ein weiteres wichtiges Thema für den Anwender ist das Testen: einerseits der elektrische Test der neuen Leistungshalbleiterbauelemente und andererseits die erweiterten Zuverlässigkeitstests der Leistungsmodule und Systeme.
Zielgruppe
Die Schulung wendet sich insbesondere an Ingenieure und Techniker, die sich mit den Besonderheiten der schnell schaltenden Bauelemente aus SiC und GaN und deren effiziente Integration in das Gesamtsystem beschäftigen. Praktische Hinweise für den Anwender stehen im Mittelpunkt der Schulung.
Schulung
Datum: 26/09/2022 - 27/09/2022
Ort: Rüsselsheim am Main, Deutschland
Fachliche Leitung:
Prof. Dr.-Ing. Eckart Hoene, Fraunhofer IZM
Organisation:
Krista Schmidt, +49 911 81 02 88 - 16, Email
Anmeldeschluss: 22. Sept. 2022
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