Forschungsprojekte, Materialien, Bauelemente

BMBF-Förderprogramm Mikroelektronikforschung (KomroL): Projekt "Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid (GaNIAL)"

Datum: 01/10/2016 - 30/09/2019

Projektvolumen: 
5,3 Mio. € (davon 57% Förderanteil durch BMBF)

Projektkoordinator: 
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

Projektpartner:

  • Robert Bosch GmbH, Gerlingen-Schillerhöhe
  • BMW AG, München
  • Finepower GmbH, Ismaning
  • Universität Stuttgart
  • TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG, Freiburg 

     

Projektinhalt:
Mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) kann Leistungselektronik mit einem sehr hohen  Wirkungsgrad für die Elektromobilität und den Maschinen- bzw. Anlagenbau realisiert werden. Diese neuen Systeme lassen im Vergleich zu heutigen Systemen höhere Leistungen bei geringerer Größe, schnelleres Schalten und höhere Betriebstemperaturen zu. Ziel des Projekts GaNIAL ist es, GaN-Leistungselemente, Ansteuerschaltungen und thermische Zustandsüberwachung extrem kompakt auf einem einzigen Halbleiterchip zu integrieren. Eine ausgeklügelte Aufbau- und Verbindungstechnik soll dabei für geringe Verluste, optimierte elektromagnetische Verträglichkeit und eine effiziente Kühlung des Leistungsmoduls sorgen.   

 

 

GaNIAL Webseite

BMBF-Förderprogramm Mikroelektronikforschung (KomroL): Projekt

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