Forschungsprojekte, Materialien, Bauelemente

BMBF-Förderprogramm "LES": Entwicklung von Zwei-Schicht dotierten GaN-Substraten und vertikalen Hoch-Volt-Transistoren (ZweiGaN)

Datum: 01/06/2014 - 31/05/2017

Projektvolumen:
2,4 Mio. € (davon 85% Förderanteil durch BMBF)

Projektkoordinator:
Namlab gGmbH

Projektpartner:

  • Freiberger Compound Materials GmbH
  • Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
  • Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden
     

Projektinhalt:
Ziele und Vorgehen
Ziel des Projektes ZweiGaN ist die Entwicklung eines Herstellungsprozesses für speziell dotierte und defektarme GaN-Wafer. Dazu werden die notwendigen Grundlagen für deren Herstellung erarbeitet und das spezielle Beschichtungsverfahren, die Hydridgasphasenepitaxie, entsprechend angepasst. Darauf aufbauend werden unterschiedliche, innovative Konzepte für GaN-basierte Transistoren umgesetzt und getestet. Die Ergebnisse dieser Untersuchungen werden genutzt, um die GaN-Waferherstellung kontinuierlich zu optimieren.

 

 

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