Im Laufe des Tages wurde klar, dass die Frage nicht so einfach beantwortet werden kann. Aus Sicht der OEMs stehen erwartungsgemäß die Kosten im Vordergrund: 2-Level-Topologie mit teurem dafür leistungsfähigerem SiC oder kostengünstiges Silizium in einer 3-Level-Topologie. Allerdings wurde klar, dass dabei nicht nur die Kosten der Halbleiter-Bauelemente gezählt werden dürfen, sondern die Gesamtkosten des Komplettsystems, d.h. inklusive des Aufwands für Treiberschaltungen bis hin zu Anschlüssen und Montage.
Bei einem Vergleich Si/SiC, 2L/3L müssen jedoch weitere Kriterien mit bewertet werden:
- Zuverlässigkeit und Funktionsfähigkeit;
- Verhalten unter besonderen Lastzuständen beispielsweise "0 Hz-Betrieb" (hill stop) oder "Aktiver Kurzschluss"
(z.B. Fehler bei Fahrt auf Autobahn);
- Auswirkungen auf den Motor (Ableit- und Lagerströme);
- EMV-Verhalten;
In vielen Fällen gab es bei den untersuchten Kombinationen deutliche Unterschiede. Die perfekte Kombination hängt demnach von den speziellen individuellen Anforderungen ab.
Eine weitere Aussage war: in 2-Level-Topologien wird sich SiC durchsetzen.
Seminarflyer: 800V Automobil-Umrichter Cluster Veranstaltungen
Cluster Leistungselektronik im ECPE e.V.
Landgrabenstraße 94
D-90443 Nürnberg, Deutschland
Telefon: +49 (0)911 81 02 88-0
© 2019 Cluster Leistungselektronik im ECPE e.V.