Haben Sie schon vom Halbleitermaterial der nächsten Generation gehört? Aluminiumnitrid revolutioniert mit seinen hervorragenden physikalischen Eigenschaften gerade die Leistungselektronik!

Erstmals in Europa ist es dem Fraunhofer IISB gelungen, gemeinsam mit dem Ferdinand-Braun-Institut (FBH) und der Firma III/V-Reclaim eine Prozesskette für Leistungshalbleiter mit Aluminiumnitrid (AlN) zu demonstrieren.

Die erste Generation der neuen Transistoren zeigt eine außerordentliche Leistungsdichte und Durchbruchspannung. Sie haben das Potenzial, Verluste bei der Umwandlung elektrischer Energie erheblich zu verringern.

Das sind gute Neuigkeiten, denn allein in Europa werden pro Jahr schätzungsweise 3 Terawattstunden elektrischer Energie aufgrund von Umwandlungsverlusten vergeudet.

Dieser Erfolg ist ein großer Schritt in Richtung unseres Ziels, die AlN-Halbleitertechnologie der Industrie zugänglich zu machen und die technologische Souveränität im Bereich der Leistungselektronik zu sichern. Weitere Informationen finden Sie in der Pressemeldung.