Forschungsprojekte, Stromrichter, Antriebe

BMBF-Förderprogramm "LES": Zukünftige effiziente Energiewandlung mit Galliumnitrid-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation (ZuGaNG)

Datum: 01/01/2014 - 31/03/2017

Projektvolumen:   
5,05 Mio. € (davon 79% Förderanteil durch BMBF)

Projektkoordinator:
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Projektpartner:

  • Robert Bosch GmbH
  • Trumpf Hüttinger GmbH
  • KACO new energy GmbH
  • X-FAB
  • LEWICKI microelectronic GmbH
  • EDC Electronic Design Chemnitz GmbH
  • Fraunhofer-Institut für Silizium­technologie ISIT
  • Ferdinand-Braun-Institut
  • Friedrich-Alexander-Universität Erlangen
  • Hochschule Reutlingen
  • Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg


Projektinhalt:
Ein innovativer Ansatz zur Senkung der Fertigungs­kosten besteht in der Eingliederung der Gallium­nitrid-basierten Transistoren in CMOS (Complementary metal-oxide semi-conductor)-Fertigungs­linien, die eine kosten­günstige Serien­produktion erlauben würde. Zudem soll in den kommenden Jahren das besondere Integrations­potential, der hohe Durchsatz und die hervorragende Funktio­nalität der Silizium-CMOS-Technologie mit der hohen elektrischen Leistungs­dichte und Robust­heit der Gallium­nitrid-Bau­elemente kombiniert werden, um die vielver­sprechenden Möglich­keiten für eine optimierte Leistungs­elektronik nutzbar zu machen.

 

 

 

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