BMBF-Förderprogramm "ForMikro": Erforschung einer neuen Generation vertikaler Transistoren auf Basis innovativer Materialsysteme (GoNext)

Projektvolumen:
2,03 Mio. € 

Projektkoordinator:  
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Berlin

Projektinhalt:
Im Projekt GoNext sollen auf Basis von Wide-Band-Gap-Halbleiter neue Leistungselektronikmaterialien und Bauelemente erforscht werden. Zwar wird aktuell immer noch sehr häufig Silizium für Umrichter und Schalter verwendet, es drängen aber immer mehr neue Materialien, sogenannte Wide-Band-Gap-Halbleiter, auf den Markt, da diese enorme Vorteile bieten. Neben den bereits bekannten Materialien Galliumnitrid und Siliziumcarbid erweist sich auch Galliumoxid (Ga2O3) aufgrund seiner sehr guten elektronischen Eigenschaften als vielversprechend. Für eine industrielle Nutzung muss aber die Materialqualität noch deutlich verbessert werden. Zudem müssen die Technologien aus der Silizium-Bauelementfertigung an das neue Material angepasst werden. Insbesondere hierbei unterstützen die assoziierten Industriepartner das Projekt.