Schulung

ONLINE | Cluster-Schulung: Ansteuer- und Schutzschaltungen für MOSFET und IGBT

Datum: 06/12/2022

Ort: ONLINE, Deutschland

Fachliche Leitung:

Dr. Reinhold Bayerer, Physics of Power Electronics

Organisation:
Angela von der Grün, +49 911 81 02 88 - 17, Email

Anmeldeschluss: 2. Dezember 2022

Die Schulung wurde auf ONLINE umgestellt!

Interner Bereich

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ONLINE | Cluster-Schulung: Ansteuer- und Schutzschaltungen für MOSFET und IGBT

Inhalt

Ansteuer- und Schutzschaltungen (Treiber) bilden die Schnittstelle zwischen der Signalebene und den Leistungs-schaltern innerhalb eines leistungselektronischen Systems. Sie sind für den sicheren aber auch effizienten und störungsarmen Betrieb der Leistungsschalter verantwortlich.

Die Entwicklung von Treiberschaltungen für einen optimalen Betrieb der Leistungselektronik erfordert umfassende Kompetenzen wie Kenntnisse der Eigenschaften der Leistungshalbleiter (MOSFET, IGBT, Dioden), Strom-versorgung für galvanisch getrennte Schaltungsteile, Beherrschung von extremen Störquellen (hohe di/dt bzw. du/dt), Logik- und Interface-Design mit galvanischer Trennung, Kenntnisse der Systemtopologien und Schaltungstechno-logien der Leistungselektronik.

Hierzu wird mit der Betrachtung des Steuerverhaltens von einfachen vertikalen MOSFETs begonnen und daraus die Besonderheiten von Super-Junction-MOSFETs und verschie-denen IGBT-Generationen abgeleitet und ergänzt. Die Auswirkungen der bipolaren Eigenschaften von IGBTs und Dioden finden im Hinblick auf die Steuerung besondere Betrachtung.

Einflüsse der galvanisch getrennten Spannungsversorgung, von parasitären Elementen und Beherrschung vom Störfall, Kurzschluss bilden weitere Schwerpunkte.

Mit einer Sammlung von Schlaglichtern auf Fehlerquellen für die Störanfälligkeit von Treiberschaltungen und ausgewählten Anwendungsproblemen schließt die Veranstaltung. 

Damit vermittelt die Schulung den Schaltungsentwicklern das erforderliche Bauelementwissen, die Anforderungen an Treiber, und wesentliche Auslegungs- und Systemaspekte.

Hinweis: SiC-MOSFETs und GaN-HEMT werden nicht speziell behandelt. Die grundsätzlichen Eigenschaften von MOSFETs und deren Treiberschaltungen sind aber eng verwandt und übertragbar. Im Übrigen wird diesbezüglich auf spezielle SiC- GaN-Veranstaltungen verwiesen.

Schulung

ONLINE | Cluster-Schulung: Ansteuer- und Schutzschaltungen für MOSFET und IGBT

Datum: 06/12/2022

Ort: ONLINE, Deutschland

Fachliche Leitung:

Dr. Reinhold Bayerer, Physics of Power Electronics

Organisation:
Angela von der Grün, +49 911 81 02 88 - 17, Email

Anmeldeschluss: 2. Dezember 2022

Die Schulung wurde auf ONLINE umgestellt!

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Teilnahmebedingungen

Teilnahmebedingungen:

  • Die Teilnahmegebühr beinhaltet die Seminarunterlagen in digitaler Form. Die Unterlagen werden spätestens einen Tag vor der Veranstaltung per Download zur Verfügung gestellt.
  • Mit Erhalt der Anmeldebestätigung per Email ist der Teilnehmende für die Veranstaltung registriert und erhält die Rechnung per Email.
  • Kreditkartenzahlung ist nicht möglich.
  • Die Zugangsdaten für die Teilnahme per Webkonferenz (Webex) werden per E-Mail zur Verfügung gestellt.
  • Der Rücktritt ist bis eine Woche vor Veranstaltungsbeginn kostenfrei möglich. Erfolgt der Rücktritt später, so bleibt die Verpflichtung zur Zahlung von 50 % der Teilnahmegebühr bestehen. Es kann jedoch ein Ersatzteilnehmer gestellt werden.
  • Teilnehmenden von ECPE Mitgliedsfirmen wird ein Rabatt von 25% gewährt.
  • Kann die Veranstaltung aufgrund höherer Gewalt oder aus wichtigem Grund nicht stattfinden, ist eine Absage möglich. Die Teilnehmer werden unverzüglich informiert. In diesem Fall kann der Teilnehmer kostenfrei stornieren. Darüber hinausgehende Ansprüche bestehen nicht.
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