weitere Veranstaltungen, Halbleiter-Kolloquium

ONLINE | Cluster-Vortragsreihe Fraunhofer IISB (online): 'ADVANCED X-RAY TOPOGRAPHY IMAGING - More insights in semiconductor material quality!'

Datum: 15/03/2021

Ort: Online, Deutschland

Interner Bereich

für Cluster-Akteure

Login nicht notwendig für Online-
Anmeldung zu Veranstaltungen!

ONLINE | Cluster-Vortragsreihe Fraunhofer IISB (online): 'ADVANCED X-RAY TOPOGRAPHY IMAGING - More insights in semiconductor material quality!'

Halbleiter-Kolloquium in Kooperation mit dem Cluster Leistungselektronik

Die Teilnahme ist kostenfrei und offen für alle Interessierten. Eine Voranmeldung ist nicht erforderlich.

Beginn: 17:15 Uhr


Für die Teilnahme am MS Teams-Meeting ist keine Installation notwendig. Das Meeting ist kostenlos und kann über den Browser abgerufen werden

Nutzen Sie die Gelegenheit, um sich zu informieren. Leiten Sie diese Informationen gerne auch an interessierte Kollegen weiter.


  • Industrial needs and answers from a metrology equipment manufacturer
    Takayuki Konya, Martin Fehrentz / Rigaku Europe SE
  • The science behind XRT  - supporting industry for R&D and quality control
    Roland Weingärtner / Fraunhofer IISB

 

Join our presentations to discover the X-ray Topography methodology, the scientific principles of measurements and the possibilities of the instrumentation. The presentations will focus on applications on different materials and the results, demonstrating how the XRTmicron system is used to get highest quality 2D and 3D topograms of semiconductor material. One advantage of the XRTmicron’s novel highly focusing anode allows investigation of crystallographic defects such as the amount and different types of dislocations, slip lines, dislocation networks, (small angle) grain boundaries, inclusions, precipitates, pits, scratches, etc. with high speed and high resolution on full wafer scale on bare wafers, wafers with epi-layers, partially processed wafers as well as bonded wafers. Examples shown are: slip line formation in 300 mm silicon wafers, the different kinds of dislocation types (threading screw, threading etch and basal plane dislocations) in 4H-SiC substrates and epilayers, the quality of differentially grown AlGaN layers on sapphire, and the defect propagation in AlN-bulk growth. The presentations will focus on the industrial needs and answers in terms of XRT used for R&D and quality control.


An Microsoft Teams-Besprechung teilnehmen
 


weitere Veranstaltungen, Halbleiter-Kolloquium

ONLINE | Cluster-Vortragsreihe Fraunhofer IISB (online): 'ADVANCED X-RAY TOPOGRAPHY IMAGING - More insights in semiconductor material quality!'

Datum: 15/03/2021

Ort: Online, Deutschland

Cluster Leistungselektronik im ECPE e.V.
Landgrabenstraße 94
D-90443 Nürnberg, Deutschland
Telefon: +49 (0)911 81 02 88-0

Informationen zu Veranstaltungen

© 2019 Cluster Leistungselektronik im ECPE e.V.