Schulung

Kurzschlussverhalten von Leistungshalbleitern | Cluster-Schulung

Datum: 21/10/2025

Ort: Nürnberg, Deutschland

Fachliche Leitung:

Fachliche Leitung:

Dr. Stefan Hain, ON Semiconductor GmbH


Organisation:
Krista Schmidt, +49 911 81 02 88 - 16, Email

Anmeldeschluss: 14. Oktober 2025

Interner Bereich

für Cluster-Akteure

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Kurzschlussverhalten von Leistungshalbleitern | Cluster-Schulung

Inhalt
Das Verhalten von Leistungshalbleitern wie IGBTs und MOSFETs im Falle eines Kurzschlusses ist entscheidend für die Sicherheit und Zuverlässigkeit elektronischer Systeme. Je nach Applikation und Halbeiterart (IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET oder diverse GaN-Schalter) zeigen die Bauteile unterschiedliches Verhalten und verschiedene Eigenschaften, die man sich zunutze machen kann oder die beachtet werden müssen, um einen sicheren und robusten Betrieb zu gewährleisten.
In dieser Schulung klären wir, welche Anwendungen eine welche Anforderungen an die Kurzschlussfestigkeit von Leistungshalbleitern stellen, und in welchen Fällen gefordert wird, dass die Halbleiter eine gewisse Anzahl an Kurzschlüssen überstehen. Gängige Begriffsdefinitionen sowie ihre Verwendung in der Applikation werden erläutert. Wir gehen auf den Aufbau von Halbleitern ein und beschreiben welchen Einfluss dieser, zusammen mit dem verwendeten Halbleitermaterial, auf das Kurzschlussverhalten des jeweiligen Bauteiles hat. Des Weiteren werden halbleiterspezifische Fehlermechanismen aufgezeigt und diskutiert.
Ebenso werden die verschiedenen Kurzschlussarten erklärt. Erkennungsmethoden und Schutzbeschaltungen mit Hin-blick auf die jeweiligen Halbleitertopologien gehören ebenso zum Inhalt der Schulung wie eine Übersicht über aktuelle Normen und deren Anwendung.
 

Zielgruppe
Die Schulung richtet sich an ApplikationsingenieurInnen, technisches Personal im Prüffeld sowie Mitarbeitende aus Forschung und Entwicklung, die sich neu in die Thematik einarbeiten möchten.
 

Die Vorträge und Diskussionen sind in deutscher Sprache.

Schulung

Kurzschlussverhalten von Leistungshalbleitern | Cluster-Schulung

Datum: 21/10/2025

Ort: Nürnberg, Deutschland

Fachliche Leitung:

Fachliche Leitung:

Dr. Stefan Hain, ON Semiconductor GmbH


Organisation:
Krista Schmidt, +49 911 81 02 88 - 16, Email

Anmeldeschluss: 14. Oktober 2025

Cluster-Schulung "Kurzschlussverhalten von Leistungshalbleitern"

Pflichtfeld-Satz
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Teilnahmegebühr
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Teilnahmebedingungen
  • Die Teilnahmegebühr beinhaltet das Mittagessen (für Studierende/Doktoranden nicht inkl.), Kaffeepausen und die digitalen Schulungsunterlagen. Gedruckte Schulungsunterlagen können zum Preis von 50,- € bestellt werden.
  • Mit Erhalt der Anmeldebestätigung per Email ist der Teilnehmende für die Veranstaltung registriert und erhält die Rechnung für die Teilnahme.
  • Der Rücktritt ist bis zwei Wochen vor Veranstaltungsbeginn kostenfrei möglich. Erfolgt der Rücktritt später, so bleibt die Verpflichtung zur Zahlung von 50 % der Teilnahmegebühr bestehen. Es kann jedoch ein Ersatzteilnehmer gestellt werden.
  • Auf der Veranstaltung wird Fotomaterial angefertigt. Möglicherweise werden Bilder der Teilnehmenden aufgenommen und zur redaktionellen Berichterstattung verwendet.
  • Aufgrund der Datenschutz-Grundverordnung weisen wir darauf hin, dass wir personenbezogene Daten in unserem CRM-System speichern müssen, um die Anmeldung zu bearbeiten. Die Datenschutzerklärung ist unter https://www.clusterle.de/kontakt/datenschutz/ zu finden.
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Cluster Leistungselektronik im ECPE e.V.
Ostendstraße 181
D-90482 Nürnberg, Deutschland
Telefon: +49 (0)911 81 02 88-0

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